В очередной раз подтвердила свое технологическое первенство среди производителей оперативной памяти с произвольным доступом компания Samsung Electronics. Сегодня она объявила о начале массового выпуска первых в отрасли чипов памяти Green DDR3 плотностью 2 Гбит, изготавливаемых по нормам «30-нанометрового класса» (такую формулировку Samsung использует для обозначения техпроцесса, а котором используются нормы от 30 до 39 нм). Разработка этих изделий была завершена в феврале, а начало серийного выпуска — запланировано на текущее полугодие. Применение новаторской схемотехники, как утверждается, делает новые чипы самыми высокопроизводительными в отрасли. В частности, работая в составе серверных модулей памяти, они могут передавать данные со скоростью до 1866 Мбит/с при напряжении питания 1,35 В. Что касается модулей памяти для ПК, рассчитанных на напряжение питания 1,5 В, максимальная скорость передачи достигает 2133 Гбит/с. Важным достоинством новой памяти является пониженное энергопотребление. По оценке Samsung, один модуль памяти DDR3 объемом 4 ГБ, в котором используются новые микросхемы памяти, может работать на 60% быстрее, чем два модуля DDR3 того же суммарного объема, в которых используется память, изготовленная по нормам «50-нанометрового класса». При этом экономия электроэнергии достигает 65%.  До конца года южнокорейский электронный гигант обещает наладить выпуск по новому техпроцессу чипов DDR3 вдвое большей плотности — 4 Гбит. Таким образом, в ассортименте Samsung будут серийно выпускаемые модули типа RDIMM серверов объемом 4, 8, 16 и 32 ГБ, модули типа UDIMM для рабочих станций и настольных ПК объемом 2, 4 и 8 ГБ, и модули типа SoDIMM для ноутбуков и моноблочных ПК объемом 2, 4 и 8 ГБ (безусловно, во всех случаях речь идет о модулях, в которых используется 30-нанометровая память Green DDR3) | 
