Сегодня компания Samsung Electronics сообщила о завершении разработки первых в отрасли модулей памяти типа LRDIMM (load-reduced, dual-inline memory module) объемом 32 ГБ. Новые модули предназначены для использования в серверах. Массовый выпуск это продукции Samsung обещает начать во второй половине года. Микросхемы памяти DDR3, используемые в новых модулях, изготовлены по технологии «40-нанометрового класса» (составители пресс-релиза уточняют — это означает применение норм от 40 до 49 нм). Плотность чипов составляет 4 Гбит. О наращивании их производства компания сообщила в мае. На каждый модуль Samsung LRDIMM объемом 32 ГБ необходимо 72 таких микросхемы. Кроме того, на плате модуля находится дополнительная буферная микросхема, которая помогает уменьшить нагрузку на подсистему памяти. По оцене компании, снижение нагрузки достигает 75%.  Используя модули LRDIMM объемом 32 ГБ, можно установить в сервер до 384 ГБ памяти в расчете на один CPU. Другими словами, конфигурация двухпроцессорного сервера может включать до 768 ГБ. Это существенно раз больше, чем в случае с обычными модулями DDR3 RDIMM объемом 32 ГБ. Модули работают на частоте 1333 МГц, при напряжении 1,35 или 1,5 В | 
